JVST 2000 Jan/Feb 号.
＠
J. Joo; JVST A 18(1) pp.23 (2000):
マグネトロンスパッタのチャンバに RF コイルを入れた I-PVD システムで、
ターゲット電力を 55kHz の MF とし、 duty を変えて OES やプローブ測定を
した論文。ターゲット Ag, ガスは Ar。
プローブの FFT 評価など。
＠
V. V. Zhurin, et al.; JVST A 18(1) pp.37 (2000):
低エネルギーの ion ソースを使って、
基板にバイアスをかけてスパッタをさせるシステム。
抵抗率の低い Cu 膜が上手にできる、と主張している。
＠
B. Kim and C. Lee; JVST A 18(1) pp.58 (2000):
RF プラズマの電力に対するインピーダンスマッチ特性変化を調べている。
回路が参考になるかも。
＠
Y. Yamada, et al.; JVST A 18(1) pp.83 (2000):
In2O3 の PLD で、 He ガスの添加効果を見ている。
酸素は加えなくても、 He の圧力がある程度以上になると、
透過率が急激に大きくなる→酸素欠損がなくなる、との主張。
O の基板に到達するときの energy が He 散乱で少なくなる効果、
衝撃波ができて密度・温度の上昇が In2O3 形成を enhance する効果などを主張。
でもちょっと理由としては弱いかな...
自己アフィンフラクタル表面からの電磁波散乱の理論。
Green 関数を使ったアプローチ。難しい(^^;