なかのにっき
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hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
原付。いい天気じゃねえかよちくしょうめ (風は強いけど)。
それはそうと、今日から花粉マスクを装着。
#2
[paper] Google Reader で拾った論文 (PRB 75)
Rutile の (110) は 1000K で 1x1 から Ti リッチな 1x2 への相転移をするそうだが、
その構造を決めた話。絶縁性の問題とかはないのかなあと思ったら、
やっぱり当てっ放しだと画質劣化するので位置をずらしつつ…などということをしてるらしい。
4d 遷移族の窒化物 (zinc-blende 型) でまだできてないやつ (YN, ZrN, NbN, MoN, TcN, RuN, RhN, PdN, AgN) の格子定数、bulk modulus、バンド構造や DOS などを ab initio で計算したもの。
Si/SiO2 向けの MD 計算用多体ポテンシャル。Tersoff と Yasukawa のポテンシャルを拡張したものだそうで。
この話題見るの久々だなあ。
この系の quasi-5x5 インコメ構造で、Si の数を STM で勘定したもの。
nucleation の理解に重要、というのはまさにその通りだ。
depo した量と各構造の面積比から、表面シリサイド層は 0.96 ML の Si と 0.9 ML の Cu からなる、という結論。
いわゆる diffuse scattering の計算。
distorted wave Born approximation という手法を適用して計算した話。
Debye-Waller とか Nevot-Croce とかの、correlation length に依存する因子を使わなくても良くなる、のだそうで。
準結晶の 5 回対称表面での Ag の nucleation (の温度依存性) を STM で勘定した話。
300K までは温度に依存せず、trap site によって決定している、
それ以上のころでは flux 依存性を調べ、レート方程式から
Ag のトラップエネルギーを導出したり。
分子の spin-flip 励起は光では起きないが、Si ナノ結晶を介在させると起きる、
という話。具体的にはポーラス Si にアントラセンを吸着させた系での
PL とその decay の測定。
多方向からビーム入射させたときのスパッタ表面のパターン形成とか不安定性とか。
理論の話。
CVD で作った Si ナノ結晶表面を大気放置したり HF 酸化膜除去したりて、
PL と FTIR を見た話。赤外の方はボンド同定が table になってて参考になりそう。
#3
[dept] 学生実験室の new PC
到着した HP の 2 台を入れてきた。
再編はまた次の機会に。半日作業だろうなあ。
#4
真空解説記事
別刷着。伝票は平野さんへ。
今月はちょっとヤバめの穴が多いとのこと。
#6
[labo] φ114ICF ビューポート用防着板
前のφ70ICF用のやつはマツナミにカバーガラスを切ってもらったんだった。
特注なので 500 枚ロットで、ということだったような記憶。
さすがにそこまでの枚数はいらないので、いつものように
精研硝子
へ見積依頼。φ56, 1〜2t、パイレックス、というところで。
#7
[paper] 今日拾った論文 (PRL 97(15), APL 89(15), JAP 100(7))
透過電顕の回折パターンから Ge の融解・固化を見たもの。bulk の melting point を中心に 470℃の hysteresis。
界面エネルギー (Ge liquid-SiO2, Ge solid-SiO2) の違い、
相転移速度などによってちゃんと説明できる、という結論。
CVD。Si は 47at.%、窒素中で 3h 1100℃。
a-Si と SiO2 だとコントラストが出にくいが、
EELS を electron tomography (ref18) というのを組み合わせると
良い 3D 図が見えるで、という話。ちょっと凄い。
丸じゃなくて捩れたかたちになっているという主張。
JAXA、武蔵工大、Spring-8、東北大、のグループ。
Si の各種化合物の 1s と 2p の chemical shift の差が
誘電率と相関しとるで、という話。
HPPMS, Wuttig 先生のとこ。I∝V^q の係数 q と、deporate の関係について。
電流が大きくなりすぎるとターゲット前の rarefaction (OES で観察)
によってインピーダンスが大きくなる、
また self-sputtering が起こりだす…などによって deporate が伸びなくなる、
という話。
Godyak 先生たちのグループ。
有磁場の RF 放電 (マグネトロンではない) のモデリング。
大変そうだ。
CIGS 試料におけるグレイン間 void を TEM 観察して結晶方位との相関を調べた話。
生成機構としては、平衡条件としても、あるいは void の diffusion-coalesence
のいずれでもありうる、ということらしい。
でまあ {112} 面群がやっぱりエネルギーが低いと。
facet の出方見ててもそうだし、と言っている。
数 nm の Si 酸化膜上への Ag の pulsed arc depo。
adhesion が弱いのをどう改善するか、という目的意識で行われた話らしい。
UPS で valence band と Si 2p を見て、あと表面を AFM で。
バイアスかけた方が一様に nucleation して早く合体し、
smooth な膜になると。
SiO2 と Al に RF 200W, 18W を Ar 0.5 Pa で着け、
211nm 励起の PL と XPS を見た話。
as-depo で 3〜4 eV の PL ピークが。Al2O3 でコートされるからって言ってるけど、
本当かね。
スクリーンショットが欲しいなあ。
いちいちダウンロードして試す根性はちょっと…
以上、1 日分です。
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