なかのにっき
最新版はこちら。
突っ込みは各日付の BBS エントリのほか、
メール (nakano@st.seikei.ac.jp) や
フォーム
からどうぞ。
なおスパム除けのため、BBS 機能には
緩い認証を入れて
います。
検索エンジンから来た方は、エンジンの方のキャッシュを見るか、
下の簡易検索を試してみてください。
hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
バス電車歩き。
done。
確定した。今年は科研費も貰えるので結構使い出がありそう。
#4
助手会関連
吉田さんに作っていただいた昨日の議事録へコメント、
現在までの出欠まとめ。あとは活動報告か。
こんどの IVC の proc はこれになるらしい。ISSP にも良いかも?
Si 基板をふっ酸処理してイントロへ。
ボンベの再配置と固定をしなければ。
ステージの輸送手順をノートから写す。~/text/Misc/UHVSPintro.doc へ。
#7
[paper] 今日拾った論文 (PRL 97(25), APL 89(25), RSI 77(12))
酸素欠損のある rutile (Ga ドープ) で
800〜1000℃くらいだと ion 伝導の寄与があるとのことで。
んで、拡散係数の電子−イオン間相互作用が理論予想よりかなり大きかった
(というか Lei/Lii が 1.5〜3 てもの凄い大きいな)。
150 ℃ 900mTorr RF100mW/cm^2 SiH4 (100倍希釈 by H2) な PECVD
で、ガラス上 5nm くらいのバッファの上、
nc-Si の layer が育ったとのこと。
んで TFT にしたら mobility が electron で 450cm^2/Vs とかなり大きい。
SIMS で見たら O が少なかったので、O がドナーとして作用するのが
抑制されたせいでは、と言うことらしいが。
XPS での SiO2 厚の決定に関して、侵入深さを Monte-Carlo で評価した話。
表面・界面では散乱確率が違うのだ、とのこと。ふーん。
リング内部にそって赤外光を反射させて検出するメカを蟻の巣に置き、
通過数をカウントしようという装置。これはおもしろい(笑)
STM 画像のノイズ除去の話。
ステップなど、明らかな構造がある画像に対して、
領域分割して各領域に最小二乗法フィッテイングをすることで、
フィルタリングによって生じる artifact を抑制できるというもの。ふむ。
#8
[dept] 自己点検評価シート
提出。元メールは inbox に置いてあったのだった。また探し回ってしまった。
行きの乗り物で読了。いよいよ次で最終巻か。
私の作品に触れた後、受け手はその題材について前より関心をなくしてはいないか?
自分の講義のあと、学生(聴講者)はその題材について前より関心をなくしてはいないか?
と問うのは大事なことであらふ。
以上、1 日分です。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp>
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