なかのにっき

プラスチックによるパターンを形成後、 電流を変えて porosity を変えた PS を作成、熱酸化させた waveguide の損失の計測。 546nm で 2.4db/cm、1550nm で 0.6db/cm とか。 可視域では volume の散乱損失が、IR では surface のが、 それぞれ dominant であると。どのくらい smooth なのができてるんだろ。

Bogaerts 先生たちの。レーザーアブレーションプラズマで生じたイオンの TOF による 速度分布測定と、あと放出角度分布の測定。

電通大を含む international なコラボ。 誘電体表面における沿面放電を 2D のセルオートマトンネットワークでモデル化したもの。 放電発展のフラクタル性とかも意識されている。

スパッタエッチング速度の圧力依存性について、 0.1〜10 mTorr の範囲での実験結果を redeposition で考察したもの。 出たやつが適当な MFP で散乱して戻るという collisional layer model というモデルでうまいこと評価できた、という話。 これもちょっと考えてみたい話ではあるな。

インドのグループ。アルミナの RF 反応性スパッタで、power を 100W const とし、 放電電圧・ターゲットのセルフバイアス・電子温度・Al・AlO の OES を、 酸素流量を変えながら (どうやら排気速度 fix らしい) 測った話。 AlO 分子なんて見えるのか。 AlO emission のみピークを持つが、それ以外は基本的に O2 flow↑ に対して減少傾向。

同グループによる Generalized Keller-Simons を Al, Si, V, Cr, Ge, Ta, W の sputter-deporate の pressure 依存性と比較した話。パラメータフィッィングでターゲット・基板各温度など。 Thermalization cross section が出てるから、これもちょっと扱ってみたいところ。 重いやつの high power 時の測定はモデルと合わないらしく、 これは thermalization が測定範囲では起こってないのではないか…と言ってるが、 これはどうかな。希薄化の効果あたりか？

標記薄膜の斜め入射真空蒸着。IR 材料らしい。SEM, AFM。 後者から "surface area" を決定して projected area との比を取ったり (つっても resolution 依存だから意味あるんか？)、RMS の入射角依存性を取ったり power spectrum を取ったり。0 度入射だと 1nm くらいの RMS というのに、 むしろちょっと驚いた。

China のグループ。基板ないし膜が高温でクリープ可能な状況のとき、 残留応力がどのように解放されるかに関する解析的なモデル。

京大と中国 Zhejiang U のグループ。AZO を atmospheric mist CVD と反応性 DC スパッタで作り、 XRD, Van der Pauw、UV-vis spectroscopy。 Al at.% が 3〜4% あたりで電荷密度はピークを持ち、 電荷密度が大きくなると Burnstein-Moss チックにバンドギャップが拡大、 途中で 5.4E19 cm^-3 あたりで gap が小さくなるところは metal transition、その後再び増加するが rate が遅くなるので、 それは多体効果による gap の renormalization と BM の重畳なのでは、 という議論をしている。

SiO2 の環境型 SEM 観察。電子照射で C-H を作って親水・疎水を制御、XPS や AFM で評価したのち、ESEM で見たもの。照射・非照射の stripe パターンを作ると 楕円の水滴ができるので、その curvature と contact angle の相関を取って line tension の値を求めたりとか。

水溶液から成長させた ZnO 結晶に 1MeV・4E16cm^-2 の電子を当て、 Thermally Stimulated Current Spectroscopy というのを見た話。 TDS みたいな感じで電流を測ってるのだが、 deep trap が計測できるのだそうで。準位の定量とその起源の考察など。