なかのにっき

アネルバ中村さんのイオン付着マススペ。環状の CF 化合物プラズマが対象。 2.1 Pa, 3sccm で ICP 25〜200W というところ。 各 species の RF 電力依存性について。

SiGe の LPCVD において、装置メンテの後に見られる O 不純物の起源について、 装置のリーク・アウトガスなどから考察した話。 これは参考になりそう。

pulse DC 反応性マグネトロンスパッタで anatase TiO2 を作るのに必要な基板温度は何度か、 という話。intentional heating はしていないが、表面温度計測をしている。 T-S 依存性、power 依存性、ターゲット (Ti or Ti5O9) など。 ターゲットの違いは、熱伝導によって基板温度が変わる効果。 要するに基板温度上昇でいけている、ということらしい。 表面温度 160℃くらいで anatase 結晶ができるとのこと。 でも高速成膜だとそれ以下でも、というのがよくわからん、らしい。

3-30nm の Si 微粒子、SnOx 微粒子を気相成長させてメタルの上に体積させ、AES, EELS を見た話。 Si 微粒子は 1nm 以下程度の native oxide で覆われているだろう (測定は ex situ)、 EELS のプラズモンピークは径と共に高エネルギーにシフト、ΔE〜d^-1.2 くらい。 Penn のモデルというのがあって、Eg と Ep は比例する、 んでもって Si の場合の Eg のサイズ依存性は 1.39 くらいなので、 まあまあではないか、というような議論。