なかのにっき

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2007年02月16日(金) [n年日記]

#1 帰り

目の前をバスが通過していったため歩き電車歩き。 ハンガーノックになり、国分寺あかぎでモツ煮定食。

#2 行き

バスで武蔵小金井、電車歩き。金融機関巡り。

小金井:

昨年いったん売却した REIT を確定申告しなければならないのだが *1 、購入額がわからなくなっていたので、 日興の小金井支店で証明書を発行してもらう。 ついでに一般口座に転がっている文教堂のもお願い。

吉祥寺:

LBC の請求伝票 3 件の振込。と自分の通帳の記帳。

*1: と言っても損益通算でまだマイナスなので課税額はゼロ(笑)

#3 [paper] 今日拾った論文 (JJAP p1 45(10A, 10B), p2 (42-45))

あれ、p2 の 42-45 は Nov issues なのか。ずれた。

Oxygen Trap Hypothesis in Silicon Oxide:

NTT 物性科学基礎研の影島さん。 Si の熱酸化における O の酸化層透過と界面反応の活性化エネルギーが、 計算では低く出るのは O solubility が (実験では) 温度依存性を示さないから。 んでその理由として O の "trap" があって dissolving energy を非常に低くしているから、 という仮説を提案している話。

Effect of O2 Flow Concentration during Reactive Sputtering of Ni Oxide Thin Films on Their Electrochemical and Electrochromic Properties in Aqueous Acidic and Basic Electrolyte Solutions:

NiO 膜を反応性スパッタで作り、酸素流量と 電気化学的性質・エレクトロクロミックの性質との相関を調べた話。 TCO として F doped SnO2 の膜に、total 30sccm, 1.5 Pa, RF 60W, T-S 5cm で 400nm の 膜をつけ、XRD で結晶、Cyclic voltammetry、色変化観察。 O2 流量を増やすと grain が小さくなって EC のときの界面容量が増える、 という結果。

Three-Dimensional Finite-Difference Time-Domain Simulation of Optical Absorption Properties of Al--N Films with Mesoscopic Surface Roughness:

RF 反応性スパッタでガラス上に AlN 着けて AFM と specular の反射率、 diffuse の反射率、透過率の膜厚依存性の測定。誘電関数を一定として、 粗さを考慮した FDTD 計算と比較。 吸収は表面近傍で起こるので粗い方が、つーことらしい。 ただ実験の分光スペクトルを再現できているかというと、やや疑問。

Dielectric Breakdown Phenomena during Secondary Electron Emission Measurement of Sputter-Deposited MgO Films:

自分らの。まあ一応(笑)

Experimental Studies of Secondary Electron Emission of TiO2 and Ti:

photocatalysis を睨んだ話。Auger 装置の内部で EISEE の測定。 電子をあて続けると TiO2 表面のコンタミがなくなるとか semiconducting になるとか。

Characteristics of Secondary Electron Emission Coefficient and Sputtering Yield for MgAl2O4/MgO Protective Layer in AC-Plasma Display Panels:

Al 入り MgO のγ と AC-PDP の performance。水分による degradation がないから〜ということらしい。電子放出特性は同じだけど sputter resistance に優れるとか。ってこれ仲田くんが輪講にかけてくれたやつだったっけか?

こっから 10B。Plasma Processing の special issue。

Flow Energy Control of Nitrogen Ions Generated by Electron Cyclotron Resonance:

畠山先生のところ。お馴染のダブルメッシュフィルタで ECR 領域から エネルギーの制御された N+, N2+ を取り出そうという話。 C60 に attach させるときに critical に効くとのことで。 L-probe, OES, Energy analyzer などの結果。

Blue Diode Laser Absorption Spectroscopy of Pulsed Magnetron Discharge:

Ar, Ar/O2, Ar/CH4 などで Al を PMS、absorption で密度を見た話。 電源は MDX 500 って書いてあるけど、これパルスモードあるの? Density の Power, Pressure deps. 温度も。 平均電力を同じにした運転だと、pulse モードの方が 5〜6 倍の密度に。 これは普通言われてるのとは逆なような? しかしもうダイオードレーザーで Doppler 幅よりずっと狭いスペクトルが出せるのか。 すごいなあ。

Monitoring of an MgO Degradation in AC Plasma Display Panel Using Multivariate Analysis Method:

スパッタ放出された Mg の LIF によるモニタリング。 SEM による erosion profile との対応、 Mahalanobis-Taguchi system と呼ばれる (らしい) 電流・電力・発光強度を用いた評価法の妥当性検証など。

Numerical Analysis of Incident Angle Effects in Reactive Sputtering Deposition of Amorphous SiO2:

SiO2 デポの MD-MC simulation。 動径分布関数とか組成とか配位数とか密度とか。 ふむ。

VHF 大気圧プラズマによる amorphous Si の低温結晶化の話:

埼玉大のグループ はラマンで観察。プラズマで舐める速度依存性より、 再結晶化は viscous flow で起こる、すなわち solid phase recrystallization であるとの結論。 阪大のグループ は RHEED/SEM で観察。atomic H が関与してるかも〜とか温度が〜とか。

#4 [labo] UHVSP

さらにベーキンブに向けての作業。 13 日に灯けといた BA ゲージは 3E-7 Pa になってた。ほんとかよ。
いや違え、バルブが閉まってたからだった。

とりあえず仮の VLV 配管、各ポートをメタルへ、 あと熱電対の取り付けまでを星くんにやってもらう。来週にはベークできそうだ。

発注:

昨日 query を出した viewport 用の防着ガラスを精研硝子へ (+misc/4470)。 その用途ならこいつでいいでしょう、ということでテンパックスというガラスを勧めていただいたのでそれで。
VLV に Swage と PT の接続をする三方継手を VP へ (+vp/130)。 イントロのとこのリークバルブ類も追加 (+vp/131)。

#5 枯林忌

学園創始者の中村春二先生の忌日。今年もまんじゅうを頂く。

#6 [exercise] 今日のプール記録

f400x3 を 7min walkx4 で挟んで 1h。
bp 136/78, hr, 99。

終了後銀華山でメシ。このパターンもひさびさ。

#7 [issp] Author's Guide

プールを挟んで編集。はぁはぁ。

#8 [URL] AE のパルス電源

こんど聞いてみるかなあ。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp> Since 1999-10-07
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