なかのにっき

武江くんと HF 処理した Si に 80℃ 2A/s で 30, 60, 90, 120 nm。

原くんが Cu の duty 20% での deporate 測定。 そろそろターゲットは寿命。

原くんの作業のあと牧くんとヘッドを水冷のものに交換、 基板仕込んでベーク。

まあ起こるわな。はあはあ。

3mm 厚のポリエチレン表面に 2.2keV の重水素分子イオンを 4x10^16 D+ cm^-2 当てて、 電荷中和の有無によって表面が受けるダメージを評価した話らしい。 RBS、接触角測定、XPS、AFM。 中和すると roghness が減るけど、しないと増える、というのはわかりやすい。 あと C-O, C=O, O-C=O などの入りかたが中和によって違う、とか。

10 pages 41 refs の invited review。cvd による成長、精製あたりが主な議論。 マイクロカテーテルへの応用なども。

EB で飛ばした MgF2 に Kaufman イオン源から 300V 20uA/cm^2 の argon assist をして、基板温度とともに透過スペクトル・XRD・TEM 像などに与える影響を調べた話。 deporate は 0.2 nm/s で、膜厚は 765nm。アシスト時の圧力は 1.33x10^-2 Pa。 ion assist すると F poor になり、grain が小さく、 短波長側 (<400nm) での透過率が落ちる。あまり良いことないのか？(^_^;

レーザーアブレーションプラズマを分光することで、 もとの表面の組成を調べようという話。対象は Na/PMMA、 erosion が 0.86nm/shot のレーザー強度で、 420ppm を doping したところで±10〜20% くらいの信号が出ている。 まあ微量なら良いのかな。多くなると matrix effect でわやになりそうだ。

HOPG に 0.24 MeV の C_n^+ やら Al_n^+ やらをぶつけ、normal に出てくる secondary electron の energy spectrum を取った話。 クラスタあたりではなく原子あたりの二次電子カウントを取ると、 n が大きくなると yield が減る。図 5,6 は per cluster での話にしてるので、 最初はどうも変だと思った。 んで減少の理由として、forward emission した electron がクラスタイオン起源の positive charge に捕まるからではないか、という予想をしている。

電源・SATA HDD を取り付けて bios では認識、kernel では単純には認識せず。 ドライバはなんじゃろ、と徹底入門を調べたら、config のときに "Intel PIIX/ICH SATA support" を Y にする旨が書いてあった。 さてこれの名前は…とカーネルソースアーカイブを見るも、 2.6 って Configure.help じゃなくなっていたのだな (浦島太郎)。

こういうとき google が無いと激しく迂遠なことをする破目になるのだが、 結局ソース以下の drivers/scsi/Kconfig に書いてあった。 ほんで modprobe ata_piix して dmesg を見たら

ata1: SATA max UDMA/133 cmd 0xEFE0 ctl 0xEFAE bmdma 0xEF90 irq 177
ata2: SATA max UDMA/133 cmd 0xEFA0 ctl 0xEFAA bmdma 0xEF98 irq 177
ata1: dev 0 cfg 49:2f00 82:346b 83:7d01 84:4023 85:3469 86:3c01 87:4023 88:207f
ata1: dev 0 ATA, max UDMA/133, 586072368 sectors: lba48
ata1: dev 0 configured for UDMA/133
scsi0 : ata_piix
ata2: SATA port has no device.
scsi1 : ata_piix
  Vendor: ATA       Model: ST3300831AS       Rev: 3.03
  Type:   Direct-Access                      ANSI SCSI revision: 05

という感じでどうやら認識したらしい。 /etc/modules へ追加。

デバイス名が不明だったので、wild guess で fdisk /dev/sda したら、 どうやら当たりだった模様。何もせずに q して dmesg を見たら、

SCSI device sda: 586072368 512-byte hdwr sectors (300069 MB)
SCSI device sda: drive cache: write back
 /dev/scsi/host0/bus0/target0/lun0: unknown partition table
Attached scsi disk sda at scsi0, channel 0, id 0, lun 0

というのが追加されていた。 というわけで久々に partition 分割、

 デバイス Boot      Start         End      Blocks   Id  System
/dev/sda1               1        7125    57231531   83  Linux
/dev/sda2            7126       11875    38154375   83  Linux
/dev/sda3           11876       36481   197647695   83  Linux

のようにして (みみっちい) sda1 を /ohome に mount、NFS export。

古いコンテンツを

% foreach y (`seq 1995 2005`)
foreach? sudo rsync -axvH /home/${y}home /ohome
foreach? end

という感じで移動。samba は symlink も follow する設定になってたみたいなので、

% cd /home
% foreach y (`seq 1995 2005`)
foreach? sudo mv ${y}home $y
foreach? sudo ln -s /ohome/${y}home
foreach? end

したあと、1995/〜2005/ を rm -rf。 /home の使用率は 92%→68% へ。あんまり減らんな。 バックアップに /ohome を追加するのは、次の full backup のタイミングで。

ついでに LAN 側の NIC を DEC 21140-AF のやつから ALTIMA AC1002KPB のやつ (Buffalo LGY-PCI32-GT) に変更。 こっちのドライバは tg3。 eth0 で使うので、/etc/modules で de4x5 の前に書く。 おお、確かになんか速くなった気がする。

プラズマ中にレーザーを通過させたときの far field 干渉パターンを シミュレーションする話。 高密度プラズマの場合みたい。電荷密度との相互作用だけ。 原子励起が〜とか、そういう軟弱な話ではない模様。

大気圧プラズマ (He, CF4, O2 mixture) で水晶板の thinning をする話。

ICP (Ar 10, 25 mTorr) の EEDF の power 依存性 (たくさん入れると下がる) を、表題の効果と関連させて議論した話。 Ar metastable の励起の balance eqs. から効果を見積もっている。 あとはこのへんの population が実験的にわかると面白そうだけども。 ちなみに CCP で Te が一筋縄でいかないのは、 power によって plasma potential が変わるから〜ということらしい。 なるほど。

a-Si の rf スパッタによる蒸着。0.4Pa、Ar+5%He、25sccm/min、温度は 200℃以下。 これをチャネルにした TFT 特性が、 基板 rf bias (10W, 110V) によってどう変わるかという話。 抵抗はやや増、ゲート電圧が負のとき (off 状態) の電流が低下。

In a previous paper [C.-S. Jiang et al., Appl. Phys. Lett. 84, 3477 (2004)], we reported the existence of a local built-in potential on grain boundaries (GBs) of photovoltaic Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin films. However, whether the built-in potential benefits photovoltaic properties of the device has not been proven. Using a scanning Kelvin probe microscope, we found that, with increasing Ga content in the CIGS film, the built-in potential on the GB drops sharply in a Ga range of 28%?38%. Comparing the changes in the built-in potential, the device efficiency, and the CIGS band gap, we conclude that the built-in potential on the GB plays a significant role in the device conversion efficiency of NREL's three-stage CIGS device.

A reactively sputtered ZrN reflector layer on top of the conventional Mo back contact yields enhanced absorber/back contact reflectance in Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells. Improved long wavelength quantum efficiency is demonstrated with a ZrN reflector at a Cu(In,Ga)Se2 thickness of 0.5 �μm. The optical gain with respect to a standard Mo back contact is initially offset by increased back contact recombination and contact resistance, but these electronic losses can be suppressed by Ga grading of the absorber or by inclusion of a contact layer of MoSe2. This allows for a significantly improved power conversion efficiency of devices with sub-micron Cu(In,Ga)Se2 thickness.

結論から言うとうまくいかなんだ。報告メール。

　イオン源の風を当てると、ない場合とは逆のほうに
Z ピエゾ電圧のジャンプが起こるようで、いろいろ
いじってみているところです。

　いっぺんそれらしき画像が現れかけたのですが、
そのときもやはり Z ピエゾ電圧が over range に
なってしまいました。　うーん。

うーん。

Q+ レバー (Si のシングルビームのやつ) を試してみる。思いっきり PID のパラメータを落とし (P=50, I=50, D=0)、 0.5Hz で 10um^2 なら何とか像が得られそうだ。

撮れた。しかし 1 枚 10 分で成功率 33% はつらいな… 例の発振さえ起こらなければまあまあ何とかなるのだが。

Perfect crystal structures can contain pyramids, cubes, or hexagons, but not pen tagons. The five-fold symmetry of a pentagon is impossible to replicate over and over in space to make a conventional crystal. But a team reports in the 26 Sept ember PRL that copper does display five-fold symmetry--as a liquid. Liquid coppe r, like other metals, is not entirely disordered but forms temporary small-scale structures. The team probed liquid copper with x rays using existing techniques , but with their own improvements, and found the first direct evidence for five- fold symmetry. The research confirms a decades-old prediction and suggests that five-fold symmetry may be widespread in liquid metals. (A. Di Cicco et al., Phys. Rev. Lett. 91, 135505)

へー。

10:10 start, 10:30 から 12:00 までベーク。 あとは藤本君に渡して 50nm の膜をつけてもらった。すまぬ。

終了操作をしたのだが、どうもフローコントローラのところで漏れてるっぽいな… フローコントローラがフルオープンの状態だと、 減圧弁の二次側が減っていく。閉じると止まる。 かといってフローコントローラから真空装置側には、 少なくとも snoop に引っかかる漏れはないしなあ。 さてどうすんべ。

Ar ボンベ交換。減圧弁を含め配管をそのままにボンベだけ交換したので、 1 次側のフラッシングもフローコントローラ経由でやらないといかん。 これはかなり時間がかかりそうだな…90 分かかった(笑)

MgO 側のベーク終了を待ってベーク開始。14:10 終了。

上原研の AFM 測定から戻ってきて、16:00 から depo。 150℃ で 1Pa 15min。

電圧が低いのと、ややプラズマ色が緑がかっているのがやや気になるな。 分圧計の示度はボンベ交換前とほぼ同じ。

水晶振動子のリードを取る小型コネクタのいいのがない、ということなのでちょい調査。

• 常盤商行 (Fishcer のがある。 このへん とか?)
• 京セラ (ちょいおおきい)
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