なかのにっき

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2004年11月24日(水) [n年日記]

#1 体調

風邪は問題ないけど、ずっと寝ていたせいで腰が痛い。

#2 行き

というわけで自転車は諦めてバス電車バス。

#3 [labo] VP

基板ホルダができたそうなので、明日 (可能だったら *1 ) 伺うことに。
*1: ちと自宅に大工さんが入るので時間が不定。

#4 [issp] abstract submission

新システムのサービスイン。instruction 書くのにやたら時間がかかってしまた。

#5 [book] 『物理学のすすめ』筑摩書房

学校に送ってもらったので、休日を挟んだためかちょっと遅くなったけど、 こちらにも到着。 序文だけ読んだけど、うーむ、 確かにいまいちターゲットがピンと来ない感じかもなあ。

#6 [labo] 室温

空調を切ってると 26〜27℃になってしまうんだが…なんで?

#7 [paper] 今日拾った論文 (JAP 96(11), APL 85(21))

Ion-beam-induced amorphization and recrystallization in silicon:

review with 225 refs. "recrystallization" の scope は、熱処理によるもの。

Ion species and electron behavior in capacitively coupled Ar and O2 plasma:

CCP, 400kHz, 30-80 mTorr (4-10 Pa) ということで中々参考になりそう。 ただどうもグラフが変な風にまとめられていて、ぱっと見傾向が良くわからん。 これはちゃんと読んでみないとだめか。多久島くんも読んでください :-)

Analysis for discharge-radiation dynamics in alternating current plasma display panels:

PDP パネルの等価回路解析。大工原くんの仕事に近い?

Microdischarge devices with 10 or 30 μm square silicon cathode cavities: pd scaling and production of the XeO excimer:

MEMS な放電セル特性。trench の上に電極を着けたかたち。 まあ ignition voltage vs pd に minimum がー、と言ってるけど、 まだちょっとこんだけだとわからんような。

Low energy electron cooling induced by a magnetic field in high pressure capacitive radio frequency discharges:

CCP。 300 mTorr くらいの領域だと、磁場があることによって 低エネルギーの電子が冷却される (つーか EEDF で low energy part が増える) という結果。低圧の場合とは逆、ということらしい。 んー、低エネルギーの電子で衝突周波数が外部電場の周波数よりも小さくなると、 電子は RF 電場を見ちゃって DC を見ないから冷却される…と言っているけど、 いまいちピンとこない。 低エネルギーの電子が壁に逃げにくくなってる、という理解ではいかんのかな? RF で使う Langmuir probe の絵が載っているのも良いかも。

Production of high-density capacitively coupled radio-frequency discharge plasma by high-secondary-electron-emission oxide:

1 Torr の Ne を 13.56 MHz で放電。Al に比べ MgO では電子密度、 Ne 発光とも 1 桁高かったとのこと。 RF 電圧 vs 電子密度のグラフ、 Al だと電圧にほぼ比例→イオンシースでの stochastic heating、 MgO だと 400V くらいから急激に上昇して 800V で saturation、 Ne の電離断面積が 200eV くらいで max になって 400eV で減ってくるので、 表面から出た電子が有効に効いてるのでは…と言っているが、 自由行程の議論がないといかんような気がする。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp> Since 1999-10-07
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