なかのにっき
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hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
風邪は問題ないけど、ずっと寝ていたせいで腰が痛い。
というわけで自転車は諦めてバス電車バス。
基板ホルダができたそうなので、明日 (可能だったら
*1
) 伺うことに。
#4
[issp] abstract submission
新システムのサービスイン。instruction 書くのにやたら時間がかかってしまた。
学校に送ってもらったので、休日を挟んだためかちょっと遅くなったけど、
こちらにも到着。
序文だけ読んだけど、うーむ、
確かにいまいちターゲットがピンと来ない感じかもなあ。
空調を切ってると 26〜27℃になってしまうんだが…なんで?
#7
[paper] 今日拾った論文 (JAP 96(11), APL 85(21))
review with 225 refs. "recrystallization" の scope は、熱処理によるもの。
CCP, 400kHz, 30-80 mTorr (4-10 Pa) ということで中々参考になりそう。
ただどうもグラフが変な風にまとめられていて、ぱっと見傾向が良くわからん。
これはちゃんと読んでみないとだめか。多久島くんも読んでください :-)
PDP パネルの等価回路解析。大工原くんの仕事に近い?
MEMS な放電セル特性。trench の上に電極を着けたかたち。
まあ ignition voltage vs pd に minimum がー、と言ってるけど、
まだちょっとこんだけだとわからんような。
CCP。
300 mTorr くらいの領域だと、磁場があることによって
低エネルギーの電子が冷却される (つーか EEDF で low energy part が増える)
という結果。低圧の場合とは逆、ということらしい。
んー、低エネルギーの電子で衝突周波数が外部電場の周波数よりも小さくなると、
電子は RF 電場を見ちゃって DC を見ないから冷却される…と言っているけど、
いまいちピンとこない。
低エネルギーの電子が壁に逃げにくくなってる、という理解ではいかんのかな?
RF で使う Langmuir probe の絵が載っているのも良いかも。
1 Torr の Ne を 13.56 MHz で放電。Al に比べ MgO では電子密度、
Ne 発光とも 1 桁高かったとのこと。
RF 電圧 vs 電子密度のグラフ、
Al だと電圧にほぼ比例→イオンシースでの stochastic heating、
MgO だと 400V くらいから急激に上昇して 800V で saturation、
Ne の電離断面積が 200eV くらいで max になって 400eV で減ってくるので、
表面から出た電子が有効に効いてるのでは…と言っているが、
自由行程の議論がないといかんような気がする。
以上、1 日分です。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp>
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