なかのにっき

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2005年07月18日(月) [n年日記]

#1 [book] 大バトル勃発! AmazonレビュアーVS著者

森本さんに教えてもらって 見に行ってみた。 文芸の方面での著者 vs 評論家のバトルは昔から良くあったようだけど、 net 書評でこういうのは自分は初めてみた。 しかしこの著者相当 (以下略)

実はこの本 amazon からは推奨されてたんだけど、 なんとなく嫌な予感 (という表現が適切かどうかわからんけど) がして避けていたのだった。 しかしこれ見て逆になんとなく読もうかという気になってきた(笑)

ちなみに評者の nomadica さんの amazon のリストは これ (それぞれかなり面白いと自分は思うが)、blog は ここ (今回の件に関するまとめは ここ )。件の書評はもう消えちゃった?つか amazon が消したのかな?

#2 [paper] 今日拾った論文 (APL 87(3), PRL 95(3))

Highly efficient and stable luminescence of nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing:

越田先生のところの PS の高圧水蒸気アニール (260℃、〜2.6 MPa) の話。 PL 発光 (量子効率) の増加、ESR での spin density の減少。 あと PL の decay time が伸びたりもしてるらしい。 passivation されてるのは、やっぱり H-terminated な Si ボンドから H が取れちゃったやつという理解でいいんだろうか? 水蒸気アニールは、 試料と純水を容器に封じ込めて容器ごと加熱しているかたちらしい。

Memory effect of Al-rich AlN films synthesized with rf magnetron sputtering:

反応性 rf スパッタで作った n-Si/AlN/Al 構造の C-V にメモリ効果。 Al/N 組成が大きくなると flat band voltage の shift も大きくなっているので、 Al ナノ粒子への charge trapping か〜ということらしい。 Al 電極への正負電圧印加両方で、それぞれの方向への shift が見えるとのこと。 なので、正負いずれの電荷も注入可能、と。 負にかける場合は transient な測定もしていて、 当初は電極から electron が AlN 層へ注入されて ΔV_FB は負にあるが、 時間が経つ (>3s) と n-Si 側から minority carrier の hole が注入されて shift は逆に正になる。うーん、しかし電極からの電荷注入が止まるのはなんで? あと AlN 中の Al nanoparticle は両方の polarity の charge を持てるのかな?

Surface Diffusion: The Low Activation Energy Path for Nanotube Growth:

PECVD による CNT 形成における metal catalyst の役割について、 基板温度を変えたときの Arrehnius plot と MD 計算。 実験での Ea は 0.2〜0.4 eV 程度、 MD で求めた Ni や Co 表面での C の diffusion がその程度、 一方原料ガスの cracking energy は C2H2 で 1.3 eV, CH4 で 0.9 というわけで、 プラズマで crack された C が表面拡散するプロセスが dominant、とのことらしい。

Energy-Dependent Cancellation of Diffraction Spots due to Surface Roughening:

step-kink のある Pt(531) 表面での LEED I-V で、 100 eV くらいまで spot が消えるのは、 vacancy がたくさんあることを考えると説明できる、というお話。 escape depth にも寄るんだろうけど、完全に cancel されることもあるで、 という結果。

#3 [debian] 徹底入門第3版

これもブックセンター (一割引) で頼もうっと。

#4 関東甲信、東海、近畿、中国が梅雨明け

む。

#5 [labo] 雑用

#6 沈没

3h ほど。

#7 [labo] 続ブース整理

日記との対応をとりつつ超整理法ストッカーを整理。 半年放置していたのか…
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp> Since 1999-10-07
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