柔らかい球が接触する対象が rough なとき、その power spectrum が
付着力−付着エネルギーにどう効くかを考察した話。
実効接触面積に絡めたモデルの実験的検証。
基板は基板温度を替えて粗さを変えた Al 膜からエポキシ樹脂で型を取ったもの、
球はポリジメチルシロキセン (シリコンエラストマー)。
N2 2mTorr+Ar 8mTorr の ICP plasma の中ほどと底に grid を設け、
底では plasma potential 制御用に 35V をかけ、center grid の電圧を
変えて Te と N+/N2+ 比を調べた話。grid によって
plasma ポテンシャルの違う領域が 2 つでき、
それぞれでの生成 (Te が関与) と拡散 (ポテンシャルが関与)
について議論。
SiO2 中への Si インプラとアニールで作った matrix の分光測定から
Maxwell-Garnet Effective Medium Approximation (
ref14
) というのでバンドギャップを評価した話。
CIGS (と CIS) の TEM+EDS 観察。あと HAADF という、広角の暗視野像らしい測定も。
Cu/(In+Ga), Ga/(In+Ga) が 10nm 以下程度の domain があるということ。
結晶としては coherent。Cu の rich/poor については p/n 型の fluctuation が、
Ga については CBM のそれが、という議論をしている。ふむ。
Al を 0.09 くらい混ぜると拡散バリア性能が良くなったっつー話。
TEM, RBS, grazing incidence XRD。
Cu 付けたあと 550℃ 10min のアニールで、
TiN は欠陥の多い grain 状になってしまい、
バリア性能が悪くなるが、Al 混ぜるとそれが抑制されるとのこと。
shadowing でできる void がうんちゃら〜とも言ってるが。