なかのにっき
最新版はこちら。
突っ込みは各日付の BBS エントリのほか、
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からどうぞ。
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下の簡易検索を試してみてください。
hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
原付。やっとフィルタを持ち帰った。
#2
TODO
#3
今日のビジネス英会話
mandate 指示する、命令する [→mandatory]
fixture 備品、設備、定番
pinpoint ピンを刺して〜の位置を示す、目立たせる
pep talk 激励の言葉、檄
muscular 筋肉の
aches and pains 疼きや痛み
requisite 必須の、必要な (n 必需品)
prerequisite 前もって必要な (n 先行条件、基礎必須科目)
lighten up 元気づける、緩和する
原付。うへこれはまた暑い。ケーヨーでヒューズを購入。
3E-6 Pa。まだちょっと高いけど、一度この状態で製膜。7:15 終了、
イントロに戻すところまで。
演習問題・ノートを準備。やっぱり revision control が必要だ。
いただいたコメントをそれぞれ反映させて事務局へ。
#7
[labo] QIG-066 の件
こちら
からフィールドサービスのメールアドレスへ内容を送信。
#8
[paper] 今日拾った論文 (PRL 98(13), APL 90(13), JAP 101(6), RSI 78(3), JVSTB 25(2))
RSI には FIM & "atom probe tomography" の invited review。
JVSTB は 19th Intl Vacuum Nanoelectronics Conf. の proc。
JJAP p1 の 3A, 3B が残ってるけど、これで gmail に来てる alert の分は 3 月末まで catch up。
京都大のグループ。電流を変えて作った PS 層の屈折率の異なることを示し、
電流に時間変調をかけてフィルタ構造を作ろうという話。
安定してできてるみたいだなあ。こちらは O リングシール。
膜のグレインサイズとスケーリング測定について。
例えば square wave の膜、あるいは spherical cap を持った grain からなる膜などについて解析的な扱いをして、w∝r^α のαがほぼ 1 となるっつー関係が導けるよ、
という話。んでαの折れ曲りがだいたいグレインのサイズを示すんやで、とのことで。
α2が KPZ で予測される値に近いよ、と言ってるのだけど、
これの効果ってグレイン境界で構造断絶があるとすると保存されるのかなあ。
ってのはちゃんと読まないとだめか。
UBM による Si のデポ。アモルファスな SiO2 基板に
450℃ 以下でポリシリができたで、という結果。
イオン比を変えるとアモルファス Si の中間層がなく、
いきなりポリシリになってるような膜もできるのだそうで。
AIST のひとたち。In2O3 に Zr をドーパントとして入れて TCO にしようという話。
In2O3 と In_1.9 Zr_0.1 O_3 の各セラミックターゲットを
反応性 RF スパッタ (O2 分率 0.38%) して作っている。基板温度は 450℃。
XRD と各種伝導特性評価、透過スペクトル。
In:Zr=1-x:x の x が小さいところでは μ が 80cm^2/Vs以上、
x=0.022 で ρ=2.6E-4 Ωcm の膜ができた、とのこと。
pure O2 中で Ti ターゲットからパルス放電 (MDX sparc-LE20) で TiO2 を作った話。
O2 圧を変えて XRD とか H 入れたときの electrochromic とか。
(0.9-7.2)E-2 mbar の範囲で、圧が高い方が良い結果になってる。
Si 基板に TiN とか Al を張った膜を片持ちにしてランプで温度を調整、
こいつを位置をずらしつつ XRD にかけ、Si(004) のロッキングカーブスポットから
基板のそりを決定、Stoney の式で stress を、という話。うーんどうなんだこれわ(^_^;
micro オージェの secondary electron のところから仕事関数のマッピングをしてみようという話。GaAs や SiC の pn 接合の観察に応用。なるほど。
後藤先生の。W の FEM 像の電圧電流特性から、各面の仕事関数を決めたお話。
Seppen-Katamuki ってこちらのグループがオリジナルだったのか。
不明にもしらなんだ。
以上、1 日分です。
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