なかのにっき
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下の簡易検索を試してみてください。
hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
#1
今日の徹底トレーニング英会話
be in danger of 〜する危険にある、危険がある
turn down 低くする、弱くする
pick on 〜をいじめる
#2
今日の入門ビジネス英語
leverage 〜を有効利用する
clear 〜 with ... ...のことで〜の許可を受ける
原付。ATM 経由。
ブリッジにしちゃうのが楽かなあ。
とは言え大改造は人がいる時間帯にはしにくいな。
surf との接続を bridge にしてみた。
やはり /home を vpn 越しに mount/umount するタイミングがめんどいが、
とりあえずなんとか繋がったらしい。
OpenWrt の LAN をブリッジするには、
/etc/config/network の lan の option ipaddr と option netmask をコメントアウトしておき、
このへん
を参照して
root@OpenWrt:~# ifconfig eth0.0 0.0.0.0 promisc up
root@OpenWrt:~# ifconfig wl0 0.0.0.0 promisc up
root@OpenWrt:~# openvpn --mktun --dev tap0
root@OpenWrt:~# ifconfig tap0 0.0.0.0 promisc up
root@OpenWrt:~# brctl addif br-lan tap0
root@OpenWrt:~# ifconfig br-lan 192.168.111.64 netmask 255.255.255.0 broadcast 192.168.111.255
root@OpenWrt:~# cd /etc/openvpn/
root@OpenWrt:/etc/openvpn# openvpn --daemon --config client.conf
でいけたみたいだけど、自動化はどうすんだろな。
あと bridge できた以上 dnsmasq は不要になるかと思うが、
それはテストしてみんと。
#5
[paper] Google Reader で拾った論文
半月溜めた。いかんな。
しかも 9 日経ってからやっと補完しているという…
貴金属線の端を加熱溶融して先端を 2.5mm 径の結晶玉にし、
それにワイヤをボンディングして効率良く加熱しましょう、という話。
STM での観察例。
Wurutzite の他、rocksalt, zinc blende な AlN が高圧下におかれたときの
第一原理バンド計算→光学関数の導出。
まあ AlN の常温常圧でのパラメータを拾う手掛かりとして一応。
Illinois 大のグループ。Stillinger-Weber ポテンシャルを使った MD で、
1keV Ar+ に対する preferential sputtering を扱っている。
ただ x 依存性は暴れてて、正直どうかな、という気がしないでもない。
KIST のグループ。AZO のスパッタ製膜時に H2 を混ぜるとどうか、という話。
SIMS で濃度見て、XRD、電気特性。ちょっと抵抗低め、だけど吸収は少なめとのこと。
でもまあこれも微妙。
UK/チェコのグループ。Cr, Ti, C の HIPIMS でエネルギー分解質量分析をした実験。
低圧定電流で Thompson + Maxwellian→電流増やすと bi-Maxwellian。
低温成分はアフターグローからのイオン、
高温成分はターゲットの高速粒子で加熱されたもの、と言ってるが、
ちょっと難しいところ。時分割測定ができるといいかな。
これも Illinois 大、
上記と同じグループ。
Si に 500eV の Ar+ 一個がぶつかったときのクレーター発生を MD で。
入射角依存性など。形状は sputtering そのものより mass rearrangement で起こると。
ripple 形成あたりの素過程を、つーことでやってるみたい。
POSTECH のグループ。各種金属膜 20nm を eB で着け、
100mTorr の N2, Ar, O2 各 RF プラズマに晒し、
放射光 PES で化学状態・仕事関数を見た話。C の減少とか O-rich surface による仕事関数の低下とか RMS や contact angle も減るよとか。
SiO2 に embed された NC-Si 界面での bond rearrangement に関する MD 計算。
コアの内側・界面近くにおける stress の具合とか、O の結合状態の種類とか。
アモルファス金属 (ここでは Zr/Al/Cu の合金) を keV オーダーの重いイオン (ここでは 3keV の Kr+)
で叩くと surface smoothing が起きるということで、
実験とシミュレーションを比較した結果。塑性流動・ballistic smoothing
(laterral sputtering みたいなものかな) が効いてるんでは、とのことで。
シンガポールのグループ。RT/annealed Cu/Si(111) の STM と放射光 PES。
Si 2p の chemical shift 各成分から Si-Cu bonding がアニールした場合には
Cu coverage と共に顕著に増加している様子が見えていたり。
He や Ne 中での各種金属原子の拡散係数を計算・実測した話。
Korea のグループ。MgO の He/Ne/Xe によるスパッタ率の MD 計算。
まあなんつーかあたり前の conclusion で、実測との一致もそれほど。
難しいのであろうことはわかるが。
HCL をリファレンスにして速度を求めた話。
ただ line-of-sight に沿っての積分になるだろうから、いまいちピンとこない。
名大の佐々木先生のとこの LIF の結果の方が clear だと思うけど
(intro では tunability が、と言ってるが)。
Au-Pd スパッタ膜とスピンコートしたポリマーで積層構造をつくると、
122keV のγ線に対して critical angle が 0.031 deg くらいの channel ができるのだそうで。すげーな。
金銀表面の誘電関数の IR〜VUV レンジの誘電関数決定。
実験は Xe スパッタクリーニングした表面を REELS、
計算は DFT。両者比較的良く一致したとのこと。
昨日つけたやつの XPS 測定。O はスペクトル見てわかるくらいだけど、少ない。
もう一回着けるか。
試料を入れるところで失敗、チャンバーオープンする羽目に orz
導入棒が入りすぎたときはだいたい嵌まるな。何が起きてるんだ。
鶏か卵か、昇降ステージの動作が渋くなってたのでペンチで微調整。
19:10 に排気開始、20:20 からリークチェックして 20:40 から bake。
4 限だけど 20 分押した。
ちと測定の途中だったので、学生さんには先に参加してもらって自分は遅刻。
#8
[labo] Windows PC
電源を入れた直後に速やかに落ちるように。なんだ今日のツキのなさは。
ヨドバシに原付で出かけ、晩飯がてら Intel の 965P マザーを購入。
入れ替え。チップセットが同じのを選んだおかげもあると思うが、
奇跡的にノートラブルで立ち上がった。はうはう。
朝は薩摩揚げと鰯の缶詰と昆布豆、昼はお握り 2 ケにサラダ、
晩は大戸屋で牡蠣ご飯、間食はクッキー 2 枚にドーナツ 1 ケ。
以上、1 日分です。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp>
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