なかのにっき

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2004年08月20日(金) [n年日記]

#1 行き

原付。すでに日射しは強いが、このくらいの時間ならまだ気温はそれほど。

#2 [ISSP] 仕事

出版契約書の確認、web 投稿 form の確認など。

#3 [labo] Si 基板

切断。残り2枚になったので、 昨年お願いした ワカテックに見積り依頼の fax を送る (Fax2004/Wakatech1.doc)。

#4 [paper] 今日拾った論文

引き続き JVSTA。

Poly (ethylene terephthalate) decomposition process in oxygen plasma; emission spectroscopic and surface analysis for oxygen?plasma reaction:

ポリマーを O2 プラズマに晒して、decompose した species の OES を見ようというもの。 やはり O のピークは 777nm が強いのかな?

Effect of the substrate bias voltage on the physical characteristics of copper films deposited by microwave plasma-assisted sputtering technique:

on Si (100)。圧力は 0.13 Pa と低いけど。XRD, AFM。結構粗いな。 270 nm の膜で 5〜60 nm くらいの RMS っぽいけど。

Determination of titanium temperature and density in a magnetron vapor sputtering device assisted by two microwave coaxial excitation systems:

Doppler broadning の効果を使って温度も求められるというのが面白い。 なんとなく reasonable な値っぽいし (RT〜700K)。

Analytical modeling of rarefied Poiseuille flow in microchannels:

大作。式を追うのはかなーり厳しそうだが。

Modeling of the target surface modification by reactive ion implantation during magnetron sputtering:

The erosion rate of an aluminum target bombarded with Ar+ and O2+ ions was simulated using TRIDYN. An abrupt change of the erosion rate is noticed at a critical mole fraction of O2+ ions. This target behavior can also be described by a simple analytical model showing that the abrupt change finds its origin in an avalanche induced by reaction ion implantation. Indeed, by the reduction of the average sputter yield by compound formation, more reactive ions become implanted into the target as the number of implanted ions depends inversely on the average sputter yield. As such, an avalanche situation can develop which finally results in a completely oxidized target. It is also shown that the critical mole fraction depends linearly on the sputter yield of the target material and that target poisoning induced by ion implantation can result in a hysteresis behavior for the target condition.
ふむ。

Metallic tin reactive sputtering in a mixture Ar-O2: Comparison between an amplified and a classical magnetron discharge:

放電電圧は O2 の増加と共に、一度上がって下がり、また上がっている。
Between 0 and 20%-25%, VD increases with O2. It is explained by a reactive species implantation in the target as proposed by Depla and De Gryse (ref 15). The curves reach a maximum and the VD values decrease dramatically to reach a minimum at 40%. The sharp decrease is attributed to the compound layer formation on the target, which can be correlated to the RD decrease (Fig. 2). Indeed, it is known that the secondary electron emission is higher for an oxide than for the corresponding metal (refs 5 & 6). Consequently, the discharge impedance and the target voltage decrease. Finally, at high %O2 (>40%), the discharge voltage increases due to the change of the gas mixture from a mainly argon atmosphere to a 100% oxygen atmosphere. Indeed, the oxygen molecules can get electrons to produce O2-species in the discharge; consequently the discharge impedance decreases and the target voltage increases.
ということだそうで。ふーむ。

ということで 2004 の issue4 (latest) まで。 あとは検索に頼るか。

Pressure effects in planar magnetron sputter deposition:

古典すな。ref の最初のほうのに良さげ。

#5 [paper] JOIS 検索

あれ、使えない…

#6 SPIN search

"sputter & throwing distance" だと Drusedau さんのやつだけ。 "sputter & thickness uniformity" だと 30 件。ふーむ。

#7 帰り

原付。あつー。

#8

涼しくなった。久々に熱帯夜ではなかったらしい。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp> Since 1999-10-07
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