なかのにっき

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2005年11月23日(水) [n年日記]

#1 行き

バス電車歩き。はなまるうどん。

#2 吉祥寺焼酎屋「わ」

しょーりんさんのとこ で知る。 こちら らしい。魅力的。

#3 [paper] 今日拾った論文 (APL 87(21), PRL 95(21))

Dynamic readout of subdiffraction-limited pit arrays with a silver superlens:

diffraction limit 以下の pit array に Ag 膜を付け、 CD チックな readout setup で 780nm, NA 0.45 でも array の period に対応する周期信号が取れた、という話。 裏側から laser を入射してるのがミソ、ということらしい。 ただ周期信号は pit を直読していない場合でも出るだろうし、 Ag 膜厚などの細かい条件が欠けているのもやや気にいらない。 negative refractive index を使った superlens のレビューとして intro の部分は役に立つかも。

Effect of Cu3Sn coatings on electromigration lifetime improvement of Cu dual-damascene interconnects:

表面に 20nm の Cu3Sn 層を形成すると、 表面拡散の path が潰せて electromigration による破壊が起こりにくくなり、 寿命が一桁くらい上がるよ、という話。

Imaging the dissociation process of O2 background gas during pulsed laser ablation of LiNbO3:

LNO の Ar/O2 雰囲気中 PLD で生じる plume を分光・位置分解・時間分解測定した話。 おもしろい。やっぱり発光ピークは target からだんだん離れていくんだな。

Monte Carlo determination of crystallite size of porous silicon from x-ray line broadening:

電流密度を変えて陽極化成した PS の XRD から粒径分布を見積った話。 BULACCO という Fortran のコードがあるらしい (ref.4)。 電流密度が大きいほど粒径は小さくなってるけど (5.19nm@20mA/cm^2→4.64@80)。 PS の測定もしている。

H-sensitive radiative recombination path in Si nanoclusters embedded in SiO2:

CVD で作った SiOx を 1100℃ 3h のアニールをするとき、 Ar 中でやるか Ar+5%H2 でやるかで PL に違いが出る、という話。 H2 が入ると長波長の強度が上がり、 これは dangling bond の passivation によって radiative な recombination が enhance されたのでは、という議論をしている。 裏付けに富んでいる、というわけではないけども。

New Types of Unstable Step-Flow Growth on Si(111)-(7×7) during Molecular Beam Epitaxy: Scaling and Universality:

NTT 基礎研の本間さん達のグループ。Si(111) ([1 -1 2] 方向へ 1 °miscut) 上の homo MBE での step bunch 形成の ex situ AFM 観察。 650〜800 ℃あたりで bunch の形成過程が kink のできかたなどが異なる 4 つの region に分かれる、という結果。 bunch 高さの size/time scaling など。

Surface Smoothening Mechanism of Amorphous Silicon Thin Films:

a-Si:H 形成時の表面 smoothing を MD (+DFT) 計算で評価した話。precursor の拡散が速いとか、 valley に取り込まれて Si-Si backbond x2 を作るから、とかいう結論。

#4 諸メール

もろもろ 7 通ほど。

#5 帰り

原付。幸楽苑経由。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp> Since 1999-10-07
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