0.5-5 mbar (50-500Pa
*1
)、T-S 1.5 cm での deposition。ターゲットは TiO2、gas は O2 only。
High-Tc ではうまくいった方法だそうな (ref 21,22、両方とも著者たちのやつ)。
4.5cmφのターゲットに 13.56MHz RF 60W、3h で 50〜60 nm くらいだから、
やっぱり無茶苦茶遅い。
200℃で depo して amorphous、アニールして anatase/rutile にしていろいろ測定。
reference は重宝するかもしれないが、
特に優れた方法というわけでもなさそうだけどなあ。
澤田先生、秋田大ほかのグループ。
耐腐食性のために SiO2 を翼に depo した TMP で、
表面粗さはどういう効果を持つのかっつー話。
depo 前後で RMS は 0.09um→1.7um。
compression は rough な翼の方が 10% くらい増加。へー。
ちゃんと読んでないけど、脱離分布のモデルによって説明できるらしい。
おもしろい。
ion thruster の材料寿命に関連した話らしい。
30〜125eV の Xe の W/Ta へのスパッタ率。
まあ 10^-5 から 0.05 の範囲。
測定は基本的に weight loss だけど、
redeposition 補正のために OES を使っている。詳細はちとわからん。ref1 らしいが。
Keller-Simons の発展形、基本的に解析的な評価だけど、
ちょっと真面目に読んでみても良さそうだ。
来年一発目の輪講のネタにするか。
eb 支援プラズマによる TiN の反応性スパッタ。
1.3cmφの metal Ti target (unbalanced magnetron)
の 1.5 cm 上に eb を通している。
ターゲットへの印加電力は、定電流モード 0.1A。
雰囲気は 110sccm 30 mTorr の pure N2。
eb は hollow cathod に max 2kV 50mA, 1ms の pulse を印加して生成、
pulse 幅固定で rest を変化、duty ratio で 20〜50%。
容器全体に Helmholtz coil で 125〜165 Gauss の磁場、
んで eb をターゲットへ導いているかたちか。
基板温度 250℃、bias -100V。
structure は XRD と AFM。
duty 増やして current を多くすると、(002) の強度が増え ((111) はほぼ不変)、
grain が大きくなる、rms が下がる、と。
星先生とキヤノンのグループ。平板ターゲット (DC & RF-DC)、対向ターゲット
(DC のみ) 各システムで ITO。平板では、RF-DC だと O2 流量に対してρ minimum 発生、
DC のみだと単調増加。ただいずれも最小値は 5x10^-4 Ωcm 程度。
対向では平板 RF-DC と同様の極小。
酸素が bombard で欠乏するとかそのへんの議論。
でも組成は調べてないっぽい？
MgO の遷移領域制御を使った反応性スパッタ。
Mg metal target 400x130mm^2 dual に 4kW AC 65kHz、
Ar 120sccm、O2 11〜25sccm で TP 0.4Pa。
285nm の OES で transition 領域制御。Langmuir probe 測定、
膜測定は分光エリプソ、Stoney method で応力、RBS, XRD, AFM,
He+0.2%Xe 16.7 Torr, gap 3mm での放電開始電圧から SEE 測定、
0.04〜0.07 くらい。(111) のピーク強度と相関しているっぽい、とのこと。
放電開始電圧は 190〜250V だそうで。190V ってのはなかなか優秀？
計算。A2 steel or 2024-Al 基板に Cr/CrN の多層膜を入れ、
Hertizan contact に対して stress or strain を最小化するとか、
stress に上限がある状況で strain の傾斜を最小化するとか。
Ansys ネタとしてちょっと面白いかも。
*1: どうでもいいけど JVST は圧力の単位の標準化はしないんだろうか。