なかのにっき

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2001年09月03日(月) [n年日記]

#1 眠い

ゲルマンの『クォークとジャガー』を 読んでいたら朝 6 時くらいまで寝つけなかった。

というか今日は月曜日なのか。うむぅ。

#2 [labo] Vacuum Products 行き

10:00 にむりやり起きて出かける。左眼充血。

大橋さんと打ち合わせ。 久しぶりにお会いしたので近況報告などから。

旧装置マグネトロンの件:

中心を希土類磁石、ヨークをフェライトで作れば 3 万円くらい。 水冷板の上に直接ターゲットを置くかたち (磁石は埋めこみ) だと 10 万円弱くらい。この場合は電極ごと作ることになる。 詳細を boss と詰めてから返事することに。

磁場は 300 Gauss くらいを確保するようにしているとのこと。 うーん、いまの装置でもそのくらいの磁場はあるなあ。

新装置背面側基板ホルダの件:

いまのカバーは基板バイアス用のシールド電極で、 根本のところでとれますよ、とのこと。 あとはネジ止めの基板ホルダだから、 こっちで図面引いて送れば OK。 木曜日くらいを目処に。

新装置膜厚モニタの件:

シャフトに水を通すかたちで水冷は可能。 ちょっと出来合いのモニタヘッドをくっつけるのだと かさばって切ないので、 例えば電極保持部だけブロックとして埋めこめないか、 その場合配線はどうするか、 ARCAT-ATP の方で加熱ヘッドというのを使ってたのを見たけど、 アネルバから参加してた人を知ってるからそっちにあたってみようか、 モニタは基板ホルダ上を動かせるか、あるいは複数設置できるか、 などなど、とりあえずいろいろアイディアを出しあってみる。

その他:

某社から WDM 用のフィルタを ECR スパッタで作る UHV な装置を受注してる、 モニタは基板の裏側の位置 (条件出しだけに使って製膜時には使わない)、 マイクロ波電力を導波管で突っ込んで、 ターゲットに RF バイアスをかけるかたちになってる、とか。 uniformity は 2inchφくらいなら 1%、4inchφでも 2〜3% とか。 ヘリコンスパッタも名前は良く聞きます、安くできますからね、 アルバックで装置作ってますよ。とか。

#3 [labo] 発注

フルウチ化学:

セミコクリーン 56 1kgx10本。担当田中さん。 Cu ターゲットのことも聞いてみたが、 製法等が変わっていることはないはず、との返事。

西東京リコー:

担当秋山さん。 イエローのトナーカートリッジ。配送は明日。

#4 [labo] 到着

膜厚計コントローラ。1日早かった。 バッテリーが劣化してたらしい。ふーん。 小川に電話したが、つながらず。

#5 [thesis] 要旨

boss のコメントをいただいて modify、吉田先生に fax。

#6 [labo] 山本真空のシュルツゲージコントローラ

もう一度チェックしてから連絡しよう、と思ったらちゃんと動く。 デジタル表示のエミッションが 20〜21uA でぶれるのは相変わらずだが、 圧力は 2x10^-1 Torr 程度までちゃんと追随して表示する。

気持ち悪いけど、しばらく様子見て使うかなあ。 とかいってると肝心な時に壊れるんだよ、きっと。

#7 [freshmeat] 9/2 分の新着メールから

#8 [thesis] 仮製本

岡田製本店に電話確認。無事到着、製本も明日にはあがるとのこと。 値段は一冊あたり 1040 円×5 冊。

#9 名古屋・愛知の宿

応物 (9/11〜13) の宿泊用。 「地下鉄東山線か愛知環状鉄道の沿線」という 非常にアバウトな問合わせをしたにも関らず、 1 日で解答をもらえた。すばらしい。

#10 [paper] JAP 90(1) 1 July 2001

rmdb に登録してみた。もうちょっと楽にならんかな...

Integrated multi-scale model for ionized plasma physical vapor deposition:

V. Arunachalam, S. Rauf, D. G. Coronell, and P. L. G. Ventzek
pp.64-73
rmdb ID: 3571
In order to aid process development and address extendibility of ionized physical vapor deposition (IPVD) technology to future integrated circuit generations, an integrated model capable of simulating phenomena across the various length scales characteristic of these systems has been developed. The model is comprised of a two-dimensional equipment simulation, which relates process variables to characteristics of material fluxes to the wafer, and a three-dimensional Monte Carlo based feature scale model. The ion-surface interaction data required to model the surface processes is generated by a molecular dynamics based simulation. The integrated model is used to study the effect of various IPVD process parameters such as wafer bias, coil power, target power, and buffer gas composition on copper film profile inside a trench. Variations in film profile across the wafer are also examined. It is found that increasing the wafer bias results in an increase in the mean ion energy and the amount of sputtering inside the feature. This results in material transfer from the bottom of the feature to the sidewalls and faceting of the upper corners of the trench. Two variables, namely the total ion to Cu flux ratio (RI/N) and the mean ion energy, are found to play a crucial role in determining the effects of coil power and target power. Increasing the coil power enhances RI/N and slightly decreases the mean ion energy. This leads to more sputtering, and therefore a thicker film on the sidewalls relative to that on the bottom. Increase in target power causes RI/N to decrease, which decreases sputtering within the feature. Film profiles generally show evidence of enhanced sputtering as buffer gas ionization threshold decreases (HeNeArXe) for the gases considered. These variations can be explained in terms of two factors: Cu flux ionization fraction, which decreases with buffer gas ionization threshold, and mean ion energy, which increases with ionization threshold.
うむぅ、ある意味 state-of-the-art な論文だな。 reference も充実、Univ of Illinois の HPEM に関する 11 は必ず読んでおくこと。 これ D 論にのっけとけばいいかな。

Self-passivated copper as a gate electrode in a poly-Si thin film transistor liquid crystal display:

G. S. Chae and H. S. Soh
W. H. Lee and J. G. Lee
pp.411-415
rmdb ID: 3573
Self-passivated copper as a gate electrode in the form of TiO/Cu/TiO/TiN/SiO2 has been obtained by annealing Cu/Ti/TiN/SiO2. The thickness of Ti in Cu/TiTiN was optimized at 150 A by forming an 80 A continuous TiO film on the outer surface of the Cu. The multilayer of SiO2/TiO/Cu/TiO/TiN/SiO2 showed stable electrical passivating properties against Cu diffusion into the top or bottom SiO2. Consequently, self-passivated copper has secured the dielectric properties of plasma enhanced chemical vapor deposition SiO2 and can be utilized as a gate electrode in low temperature poly-Si thin film transistor liquid crystal displays without sacrificing the low resistivity of Cu.

#11 [paper] JAP 83(1) 1 Jan 1998

Design issues in ionized metal physical vapor deposition of copper:

Michael J. Grapperhaus
Zoran Krivokapic
Mark J. Kushner pp.35-43
The filling of deep vias and trenches with metal for interconnect layers in microelectronic devices requires anisotropic deposition techniques to avoid formation of voids. Ionized metal physical vapor deposition (IMPVD) is a process which is being developed to address this need. In IMPVD, a magnetron sputter deposition source is augmented with a secondary plasma source with the goal of ionizing a large fraction of the metal atoms. Application of a bias to the substrate results in an anisotropic flux of metal ions for deposition. The ion flux also contributes to "sputter back" of metal deposits on the lip of the via which could lead to void formation. In this article, we describe and present results from a two-dimensional plasma model for IMPVD using a dc magnetron and an inductively coupled auxiliary ionization source. The scaling of copper IMPVD is discussed as a function of buffer gas pressure, sputter source, and source geometry. We show that the deposition rate of metal on the substrate will be reduced as pressure increases due to the increase in diffusive losses. We also show that the sputtering of the auxiliary coils can be a significant issue in IMPVD systems, which must be addressed in tool design.
さっきのやつ の 11。

#12 今日のラジヲ英会話

8 月の復習シリーズが終わってこっちも新学期。

looping (classes) 持ち上がり学級
advocate 支持者、擁護者 (verb だと [-keit], noun だと [-k@t])
outfit 洋服

#13 [JM] 今日の post

LDP man-pages の bootparam.7。2139 行。うひー。

ということで昨日今日は DDTS はお休み。
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以上、1 日分です。
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